0 0 0
  8. PJW4P06A-AU_R2_000A1

Транзисторы с каналом P SMD PJW4P06A-AU_R2_000A1

 
PJW4P06A-AU_R2_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854783
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
17.94 грн
25+
16.19 грн
72+
14.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1575 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-16А(1742153)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,167 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJW4P06A-AU_R2_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 854783
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
17.94 грн
25+
16.19 грн
72+
14.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1575 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,167 g