0 0 0
  8. PSMB050N10NS2_R2_00601

Транзисторы с каналом N SMD PSMB050N10NS2_R2_00601

 
PSMB050N10NS2_R2_00601
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
133.70 грн
5+
119.79 грн
10+
100.47 грн
28+
94.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
138Вт(1740788)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
53нC(1479049)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
480А(1742454)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMB050N10NS2_R2_00601
PanJit Semiconductor
Артикул: 855526
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
133.70 грн
5+
119.79 грн
10+
100.47 грн
28+
94.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
138Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
53нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
480А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g