0 0 0
  8. PSMB055N08NS1_T0_00601

Транзисторы с каналом N SMD PSMB055N08NS1_T0_00601

 
PSMB055N08NS1_T0_00601
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855563
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.91 грн
3+
73.41 грн
10+
65.69 грн
17+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
108А(1492245)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113,6Вт(1741879)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65,8нC(1986120)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
360А(1751904)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMB055N08NS1_T0_00601
PanJit Semiconductor
Артикул: 855563
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.91 грн
3+
73.41 грн
10+
65.69 грн
17+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
108А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
360А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g