0 0 0
  8. PTGH4065S1_T0_00201

Транзисторы IGBT THT PTGH4065S1_T0_00201

 
PTGH4065S1_T0_00201
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 975479
Транзистор: IGBT; Trench FS IGBT; 650В; 46А; 110Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
208.07 грн
8+
137.39 грн
20+
130.24 грн
3000+
125.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
46А(1750667)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
Trench FS IGBT(1950591)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы IGBT THT PTGH4065S1_T0_00201
PanJit Semiconductor
Артикул: 975479
Транзистор: IGBT; Trench FS IGBT; 650В; 46А; 110Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
208.07 грн
8+
137.39 грн
20+
130.24 грн
3000+
125.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
46А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
110Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
65нC
Технология
Trench FS IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g