0 0 0
  8. HFA3102BZ

Транзисторы NPN SMD HFA3102BZ

 
HFA3102BZ
 
RENESAS
Артикул: 672115
Транзистор: NPN x6; биполярный; RF; 8В; 30мА; 250мВт; SO14
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
440.75 грн
3+
396.28 грн
4+
312.10 грн
9+
295.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
RENESAS(61)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO14(1443507)
Частота
10ГГц(1741288)
Напряжение коллектор-эмиттер
8В(1838821)
Коэффициент усиления по току
70(1707084)
Ток коллектора
30мА(1440780)
Тип транзистора
NPN x6(1838837)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
биполярный(1440762)
Характеристики полупроводниковых элементов
dual long-tailed pair transistor array(1838838)
Вид транзистора
RF(1645036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы NPN SMD HFA3102BZ
RENESAS
Артикул: 672115
Транзистор: NPN x6; биполярный; RF; 8В; 30мА; 250мВт; SO14
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
440.75 грн
3+
396.28 грн
4+
312.10 грн
9+
295.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
RENESAS
Монтаж
SMD
Корпус
SO14
Частота
10ГГц
Напряжение коллектор-эмиттер
8В
Коэффициент усиления по току
70
Ток коллектора
30мА
Тип транзистора
NPN x6
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
биполярный
Характеристики полупроводниковых элементов
dual long-tailed pair transistor array
Вид транзистора
RF
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g