Памяти SRAM параллельные RMLV0816BGSB-4S2#AA0

 
RMLV0816BGSB-4S2#AA0
 
Артикул: 671904
IC: память SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TSOP44 II
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
711.58 грн
3+
404.00 грн
7+
382.48 грн
135+
367.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
RENESAS(61)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...85°C(1819326)
Корпус
TSOP44 II(1444531)
Рабочее напряжение
2,7...3,6В(1444378)
Тип микросхемы
память SRAM(1775161)
Вид памяти
SRAM(1444522)
Структура памяти
512Кx16бит(1444536)
Время доступа
45с(1914343)
Kind of interface
параллельный(1774882)
Память
8Мб SRAM(1980733)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,46 g
 
Памяти SRAM параллельные RMLV0816BGSB-4S2#AA0
RENESAS
Артикул: 671904
IC: память SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TSOP44 II
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
711.58 грн
3+
404.00 грн
7+
382.48 грн
135+
367.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
RENESAS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...85°C
Корпус
TSOP44 II
Рабочее напряжение
2,7...3,6В
Тип микросхемы
память SRAM
Вид памяти
SRAM
Структура памяти
512Кx16бит
Время доступа
45с
Kind of interface
параллельный
Память
8Мб SRAM
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,46 g