0 0 0
  8. BR25G1MF-3GE2

Памяти EEPROM последовательные BR25G1MF-3GE2

 
BR25G1MF-3GE2
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 1075052
IC: память EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 10МГц; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.34 грн
5+
178.75 грн
10+
167.04 грн
12+
88.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...85°C(1819326)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение питания
1,8...5,5В DC(1444190)
Тип микросхемы
память EEPROM(1775166)
Интерфейс
SPI(1443806)
Вид памяти
EEPROM(1444391)
Структура памяти
128Кx8бит(1444361)
Время доступа
5мс(1498511)
Тактовая частота
10МГц(1453733)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Kind of interface
последовательный(1774881)
Память
1Мб EEPROM(1981055)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Памяти EEPROM последовательные BR25G1MF-3GE2
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 1075052
IC: память EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 10МГц; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.34 грн
5+
178.75 грн
10+
167.04 грн
12+
88.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...85°C
Корпус
SOP8
Напряжение питания
1,8...5,5В DC
Тип микросхемы
память EEPROM
Интерфейс
SPI
Вид памяти
EEPROM
Структура памяти
128Кx8бит
Время доступа
5мс
Тактовая частота
10МГц
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Kind of interface
последовательный
Память
1Мб EEPROM
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g