0 0 0
  8. DTD113ECHZGT116

Транзисторы NPN SMD DTD113ECHZGT116

 
DTD113ECHZGT116
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 671451
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,5А; 200мВт; SOT23; R1: 1кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.97 грн
100+
3.55 грн
380+
2.72 грн
1040+
2.58 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Частота
200МГц(1440782)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
33(1838822)
Ток коллектора
0,5А(1702083)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
1кОм(1645085)
резистор эмиттер - база
1кОм(1645086)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы NPN SMD DTD113ECHZGT116
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 671451
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,5А; 200мВт; SOT23; R1: 1кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.97 грн
100+
3.55 грн
380+
2.72 грн
1040+
2.58 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Частота
200МГц
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
33
Ток коллектора
0,5А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
1кОм
резистор эмиттер - база
1кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g