0 0 0
  7. EM6J1T2R

Транзисторы многоканальные EM6J1T2R

 
EM6J1T2R
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740006
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.23 грн
25+
9.96 грн
100+
8.76 грн
130+
7.57 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
9,6Ом(1745487)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А(1709889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные EM6J1T2R
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740006
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.23 грн
25+
9.96 грн
100+
8.76 грн
130+
7.57 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
9,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g