0 0 0
  7. EM6K33T2R

Транзисторы многоканальные EM6K33T2R

 
EM6K33T2R
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740003
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.06 грн
25+
12.27 грн
100+
10.84 грн
105+
9.32 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные EM6K33T2R
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740003
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.06 грн
25+
12.27 грн
100+
10.84 грн
105+
9.32 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g