0 0 0
  7. HP8MA2TB1

Транзисторы многоканальные HP8MA2TB1

 
HP8MA2TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739988
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
39.23 грн
25+
34.70 грн
30+
32.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
HSOP8(1635046)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
18/-15А(1996955)
Сопротивление в открытом состоянии
16,4/29мОм(1950870)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
7Вт(1607953)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22/25нC(1950871)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные HP8MA2TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739988
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
39.23 грн
25+
34.70 грн
30+
32.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
HSOP8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
18/-15А
Сопротивление в открытом состоянии
16,4/29мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22/25нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g