0 0 0
  7. QH8KA4TCR

Транзисторы многоканальные QH8KA4TCR

 
QH8KA4TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739959
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
32.35 грн
25+
29.17 грн
41+
24.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QH8KA4TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739959
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 40А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.37 грн
5+
32.35 грн
25+
29.17 грн
41+
24.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g