0 0 0
  7. QH8MA4TCR

Транзисторы многоканальные QH8MA4TCR

 
QH8MA4TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739919
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.50 грн
25+
23.91 грн
53+
18.73 грн
145+
17.69 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
9/-8А(1996959)
Сопротивление в открытом состоянии
23,7/40,3мОм(1950891)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,6Вт(1449371)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15,5/19,6нC(1950890)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QH8MA4TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739919
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8А; Idm: 18А; 2,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.50 грн
25+
23.91 грн
53+
18.73 грн
145+
17.69 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
9/-8А
Сопротивление в открытом состоянии
23,7/40,3мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15,5/19,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g