0 0 0
  8. QS5U13TR

Транзисторы с каналом N SMD QS5U13TR

 
QS5U13TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481357
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.82 грн
25+
12.47 грн
100+
11.23 грн
112+
8.67 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,9нC(1642906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD QS5U13TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481357
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.82 грн
25+
12.47 грн
100+
11.23 грн
112+
8.67 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
3,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g