0 0 0
  8. QS5U33TR

Транзисторы с каналом P SMD QS5U33TR

 
QS5U33TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759142
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.61 грн
25+
19.35 грн
66+
15.13 грн
181+
14.28 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2А(1492324)
Сопротивление в открытом состоянии
0,225Ом(1780131)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,4нC(1633426)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8А(1741671)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD QS5U33TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759142
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.61 грн
25+
19.35 грн
66+
15.13 грн
181+
14.28 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,225Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
3,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g