0 0 0
  8. QS5U34TR

Транзисторы с каналом N SMD QS5U34TR

 
QS5U34TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733285
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.84 грн
25+
15.29 грн
93+
10.77 грн
255+
10.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1,5А(1492350)
Сопротивление в открытом состоянии
0,31Ом(1743026)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,8нC(1633317)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD QS5U34TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733285
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.84 грн
25+
15.29 грн
93+
10.77 грн
255+
10.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,31Ом
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g