0 0 0
  7. QS6K21FRATR

Транзисторы многоканальные QS6K21FRATR

 
QS6K21FRATR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739934
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.07 грн
25+
18.88 грн
68+
14.42 грн
187+
13.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
45В(1441651)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
585мОм(1950893)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,5нC(1632943)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QS6K21FRATR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739934
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.07 грн
25+
18.88 грн
68+
14.42 грн
187+
13.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
45В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
585мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g