0 0 0
  7. QS8J13TR

Транзисторы многоканальные QS8J13TR

 
QS8J13TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739916
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
34.77 грн
25+
31.36 грн
38+
26.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-5,5А(1600698)
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм(1479055)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QS8J13TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739916
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
34.77 грн
25+
31.36 грн
38+
26.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
60нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g