0 0 0
  7. QS8J4TR

Транзисторы многоканальные QS8J4TR

 
QS8J4TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740002
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
5+
33.51 грн
25+
30.18 грн
39+
25.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT8(1951149)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
84мОм(1625134)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
8,4нC(1611303)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-16А(1742153)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QS8J4TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 740002
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.18 грн
5+
33.51 грн
25+
30.18 грн
39+
25.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
84мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
8,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g