0 0 0
  7. QS8K13TCR

Транзисторы многоканальные QS8K13TCR

 
QS8K13TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739949
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
31.27 грн
25+
28.10 грн
42+
24.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMD8(1933837)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,5нC(1609920)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QS8K13TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739949
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.95 грн
5+
31.27 грн
25+
28.10 грн
42+
24.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMD8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
5,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g