Транзисторы многоканальные QS8M31TR

 
QS8M31TR
 
Артикул: 739938
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.58 грн
43+
23.35 грн
116+
22.07 грн
3000+
21.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 988 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMD8(1933837)
Напряжение сток-исток
60/-60В(1596127)
Ток стока
3/-2А(1596128)
Сопротивление в открытом состоянии
137/266мОм(1950898)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4/7,2нC(1950899)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
4...6А(1950897)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные QS8M31TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739938
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.58 грн
43+
23.35 грн
116+
22.07 грн
3000+
21.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 988 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMD8
Напряжение сток-исток
60/-60В
Ток стока
3/-2А
Сопротивление в открытом состоянии
137/266мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4/7,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4...6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g