0 0 0
  7. QS8M51FRATR

Транзисторы многоканальные QS8M51FRATR

 
QS8M51FRATR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739926
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
32.19 грн
25+
29.00 грн
41+
24.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMD8(1933837)
Напряжение сток-исток
100/-100В(1596093)
Ток стока
2/-1,5А(1996960)
Сопротивление в открытом состоянии
355/540мОм(1950901)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,7/17нC(1950902)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные QS8M51FRATR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739926
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
32.19 грн
25+
29.00 грн
41+
24.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMD8
Напряжение сток-исток
100/-100В
Ток стока
2/-1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
355/540мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,7/17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g