0 0 0
  8. R6009JNJGTL

Транзисторы с каналом N SMD R6009JNJGTL

 
R6009JNJGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733154
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.72 грн
5+
110.05 грн
11+
94.62 грн
25+
94.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
585мОм(1950893)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
27А(1741675)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD R6009JNJGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733154
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 27А; 125Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.72 грн
5+
110.05 грн
11+
94.62 грн
25+
94.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
585мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g