0 0 0
  8. RAF040P01TCL

Транзисторы с каналом P SMD RAF040P01TCL

 
RAF040P01TCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759112
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.05 грн
10+
31.40 грн
20+
27.43 грн
67+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TUMT3(1951151)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм(1609782)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
37нC(1479234)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-16А(1742153)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RAF040P01TCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759112
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.05 грн
10+
31.40 грн
20+
27.43 грн
67+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TUMT3
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
37нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g