0 0 0
  8. RAL035P01TCR

Транзисторы с каналом P SMD RAL035P01TCR

 
RAL035P01TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759115
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.68 грн
10+
27.75 грн
67+
14.82 грн
183+
14.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TUMT6(1951152)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-3,5А(1492400)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RAL035P01TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759115
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.68 грн
10+
27.75 грн
67+
14.82 грн
183+
14.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TUMT6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g