0 0 0
  8. RAQ045P01TCR

Транзисторы с каналом P SMD RAQ045P01TCR

 
RAQ045P01TCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759167
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.23 грн
25+
19.76 грн
66+
15.32 грн
181+
14.53 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT6(1951150)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RAQ045P01TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759167
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.23 грн
25+
19.76 грн
66+
15.32 грн
181+
14.53 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
40нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g