0 0 0
  8. RD3G03BATTL1

Транзисторы с каналом P SMD RD3G03BATTL1

 
RD3G03BATTL1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759154
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
43.07 грн
25+
37.88 грн
28+
36.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
56Вт(1520819)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-70А(1811056)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RD3G03BATTL1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759154
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
43.07 грн
25+
37.88 грн
28+
36.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g