0 0 0
  8. RD3G400GNTL

Транзисторы с каналом N SMD RD3G400GNTL

 
RD3G400GNTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733233
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 80А; 26Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
43.98 грн
25+
38.89 грн
27+
36.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
26Вт(1741903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RD3G400GNTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733233
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 80А; 26Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.17 грн
5+
43.98 грн
25+
38.89 грн
27+
36.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
26Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g