0 0 0
  8. RD3H160SPTL1

Транзисторы с каналом P SMD RD3H160SPTL1

 
RD3H160SPTL1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759186
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.66 грн
5+
45.66 грн
25+
40.20 грн
26+
39.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-45В(1588749)
Ток стока
-16А(1478990)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RD3H160SPTL1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759186
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.66 грн
5+
45.66 грн
25+
40.20 грн
26+
39.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-45В
Ток стока
-16А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g