0 0 0
  8. RD3L03BATTL1

Транзисторы с каналом P SMD RD3L03BATTL1

 
RD3L03BATTL1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759143
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
46.12 грн
25+
40.69 грн
26+
38.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
46мОм(1479134)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
56Вт(1520819)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
37нC(1479234)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-70А(1811056)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RD3L03BATTL1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759143
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
46.12 грн
25+
40.69 грн
26+
38.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
46мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
37нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g