0 0 0
  8. RD3L080SNTL1

Транзисторы с каналом N SMD RD3L080SNTL1

 
RD3L080SNTL1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733289
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 16А; 15Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
41.16 грн
25+
36.39 грн
29+
35.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
109мОм(1711577)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
15Вт(1449537)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,4нC(1609764)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RD3L080SNTL1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733289
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 16А; 15Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
41.16 грн
25+
36.39 грн
29+
35.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
109мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g