0 0 0
  8. RD3P100SNFRATL

Транзисторы с каналом N SMD RD3P100SNFRATL

 
RD3P100SNFRATL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733190
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
44.49 грн
25+
39.25 грн
27+
37.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
147мОм(1801404)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RD3P100SNFRATL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733190
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
44.49 грн
25+
39.25 грн
27+
37.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
147мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g