0 0 0
  8. RD3P175SNTL1

Транзисторы с каналом N SMD RD3P175SNTL1

 
RD3P175SNTL1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733286
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.63 грн
5+
45.64 грн
25+
40.17 грн
27+
38.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
17,5А(1602398)
Сопротивление в открытом состоянии
119мОм(1638655)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
35А(1789211)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RD3P175SNTL1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733286
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.63 грн
5+
45.64 грн
25+
40.17 грн
27+
38.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
17,5А
Сопротивление в открытом состоянии
119мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
35А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g