0 0 0
  8. RE1C002UNTCL

Транзисторы с каналом N SMD RE1C002UNTCL

 
RE1C002UNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600407
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.88 грн
100+
3.46 грн
360+
2.71 грн
990+
2.57 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 3195 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,4А(1838841)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RE1C002UNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 600407
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.88 грн
100+
3.46 грн
360+
2.71 грн
990+
2.57 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 3195 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g