0 0 0
  8. RF4E075ATTCR

Транзисторы с каналом P SMD RF4E075ATTCR

 
RF4E075ATTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610722
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.85 грн
25+
20.67 грн
62+
16.39 грн
169+
15.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-7,5А(1643366)
Сопротивление в открытом состоянии
21,7мОм(1939976)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RF4E075ATTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610722
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.85 грн
25+
20.67 грн
62+
16.39 грн
169+
15.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
21,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g