0 0 0
  8. RF4E080BNTR

Транзисторы с каналом N SMD RF4E080BNTR

 
RF4E080BNTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686976
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.18 грн
25+
19.16 грн
64+
15.27 грн
176+
14.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2955 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
17,6мОм(1939977)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,5нC(1609913)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RF4E080BNTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686976
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.18 грн
25+
19.16 грн
64+
15.27 грн
176+
14.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2955 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
17,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g