0 0 0
  8. RF4E100AJTCR

Транзисторы с каналом N SMD RF4E100AJTCR

 
RF4E100AJTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686975
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.22 грн
5+
28.47 грн
25+
22.63 грн
49+
20.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RF4E100AJTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686975
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.22 грн
5+
28.47 грн
25+
22.63 грн
49+
20.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g