0 0 0
  8. RF4E110GNTR

Транзисторы с каналом N SMD RF4E110GNTR

 
RF4E110GNTR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686977
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.83 грн
5+
26.84 грн
25+
21.41 грн
51+
19.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
11,3мОм(1609822)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,4нC(1479204)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RF4E110GNTR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686977
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.83 грн
5+
26.84 грн
25+
21.41 грн
51+
19.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
11,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g