0 0 0
  8. RF4L040ATTCR

Транзисторы с каналом P SMD RF4L040ATTCR

 
RF4L040ATTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610793
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
5+
30.48 грн
25+
24.29 грн
47+
21.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-8S(1939978)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
89мОм(1811025)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17,3нC(1607622)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-16А(1742153)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RF4L040ATTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610793
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
5+
30.48 грн
25+
24.29 грн
47+
21.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-8S
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
89мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g