0 0 0
  8. RF6C055BCTCR

Транзисторы с каналом P SMD RF6C055BCTCR

 
RF6C055BCTCR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610735
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.53 грн
25+
18.26 грн
70+
14.22 грн
192+
13.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363T(1934587)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-5,5А(1600698)
Сопротивление в открытом состоянии
25,8мОм(1908855)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15,2нC(1714165)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RF6C055BCTCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 610735
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.53 грн
25+
18.26 грн
70+
14.22 грн
192+
13.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363T
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
25,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g