0 0 0
  8. RGPR30BM40HRTL

Транзисторы IGBT SMD RGPR30BM40HRTL

 
RGPR30BM40HRTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686025
Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.60 грн
5+
136.71 грн
10+
108.09 грн
25+
107.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение коллектор-эмиттер
430В(1500584)
Напряжение затвор - эмиттер
±10В(1743795)
Ток коллектора
30А(1440984)
Время включения
1мкс(1444781)
Время выключения
9,5мкс(1942538)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825) системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724) internally clamped(1880446)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD RGPR30BM40HRTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686025
Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.60 грн
5+
136.71 грн
10+
108.09 грн
25+
107.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение коллектор-эмиттер
430В
Напряжение затвор - эмиттер
±10В
Ток коллектора
30А
Время включения
1мкс
Время выключения
9,5мкс
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
125Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Характеристики полупроводниковых элементов
internally clamped
Заряд затвора
22нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g