0 0 0
  8. RGS00TS65EHRC11

Транзисторы IGBT THT RGS00TS65EHRC11

 
RGS00TS65EHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670946
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 163Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
591.13 грн
3+
415.54 грн
7+
392.50 грн
450+
382.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Время включения
70нс(1441642)
Время выключения
299нс(1694297)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
163Вт(1741924)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGS00TS65EHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670946
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 163Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
591.13 грн
3+
415.54 грн
7+
392.50 грн
450+
382.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
150А
Время включения
70нс
Время выключения
299нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
163Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
58нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g