0 0 0
  8. RGS80TS65DHRC11

Транзисторы IGBT THT RGS80TS65DHRC11

 
RGS80TS65DHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670956
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 136Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
495.78 грн
3+
348.00 грн
8+
328.93 грн
450+
319.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
62нс(1627515)
Время выключения
291нс(1441615)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGS80TS65DHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670956
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 136Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
495.78 грн
3+
348.00 грн
8+
328.93 грн
450+
319.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
62нс
Время выключения
291нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
136Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
48нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g