0 0 0
  8. RGS80TSX2DHRC11

Транзисторы IGBT THT RGS80TSX2DHRC11

 
RGS80TSX2DHRC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670951
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
907.31 грн
2+
638.22 грн
5+
603.29 грн
450+
585.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
89нс(1942547)
Время выключения
629нс(1942548)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGS80TSX2DHRC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670951
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
907.31 грн
2+
638.22 грн
5+
603.29 грн
450+
585.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
89нс
Время выключения
629нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
277Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
104нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g