0 0 0
  8. RGT16NL65DGTL

Транзисторы IGBT SMD RGT16NL65DGTL

 
RGT16NL65DGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686017
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.49 грн
5+
114.74 грн
12+
89.25 грн
31+
84.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
8А(1440886)
Ток коллектора в импульсе
24А(1713006)
Время включения
27нс(1621600)
Время выключения
170нс(1492980)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
47Вт(1741916)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD RGT16NL65DGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686017
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.49 грн
5+
114.74 грн
12+
89.25 грн
31+
84.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
8А
Ток коллектора в импульсе
24А
Время включения
27нс
Время выключения
170нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
47Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
21нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g