0 0 0
  8. RGT30NL65DGTL

Транзисторы IGBT SMD RGT30NL65DGTL

 
RGT30NL65DGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686014
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 66Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.02 грн
5+
131.48 грн
10+
102.79 грн
27+
97.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
15А(1440962)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
40нс(1441702)
Время выключения
204нс(1942540)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
66Вт(1740777)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD RGT30NL65DGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686014
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 66Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.02 грн
5+
131.48 грн
10+
102.79 грн
27+
97.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
40нс
Время выключения
204нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
66Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
32нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g