0 0 0
  8. RGT30TM65DGC9

Транзисторы IGBT THT RGT30TM65DGC9

 
RGT30TM65DGC9
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686022
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 16Вт; TO220NFM
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.85 грн
5+
133.81 грн
10+
105.30 грн
27+
99.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220NFM(1942550)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
8А(1440886)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
40нс(1441702)
Время выключения
204нс(1942540)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
16Вт(1608400)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGT30TM65DGC9
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686022
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 16Вт; TO220NFM
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.85 грн
5+
133.81 грн
10+
105.30 грн
27+
99.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220NFM
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
8А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
40нс
Время выключения
204нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
16Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
32нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g