0 0 0
  8. RGT50TM65DGC9

Транзисторы IGBT SMD RGT50TM65DGC9

 
RGT50TM65DGC9
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686015
Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
192.10 грн
5+
172.25 грн
8+
134.95 грн
21+
127.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO220NFM(1942550)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
13А(1478908)
Ток коллектора в импульсе
75А(1694309)
Время включения
65нс(1626412)
Время выключения
210нс(1712985)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
23Вт(1507402)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
49нC(1479032)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD RGT50TM65DGC9
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686015
Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
192.10 грн
5+
172.25 грн
8+
134.95 грн
21+
127.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO220NFM
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
13А
Ток коллектора в импульсе
75А
Время включения
65нс
Время выключения
210нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
23Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
49нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g