0 0 0
  8. RGT8BM65DTL

Транзисторы IGBT SMD RGT8BM65DTL

 
RGT8BM65DTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686021
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.16 грн
5+
70.18 грн
18+
54.23 грн
50+
51.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
8А(1440886)
Ток коллектора в импульсе
12А(1757659)
Время включения
54нс(1717727)
Время выключения
158нс(1775337)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
31Вт(1741805)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
13,5нC(1611304)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD RGT8BM65DTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686021
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.16 грн
5+
70.18 грн
18+
54.23 грн
50+
51.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
8А
Ток коллектора в импульсе
12А
Время включения
54нс
Время выключения
158нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
31Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
13,5нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g