0 0 0
  8. RGTH50TS65DGC11

Транзисторы IGBT THT RGTH50TS65DGC11

 
RGTH50TS65DGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670933
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
258.93 грн
5+
232.64 грн
6+
192.81 грн
14+
182.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Время включения
65нс(1626412)
Время выключения
172нс(1757692)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
87Вт(1741902)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
49нC(1479032)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGTH50TS65DGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670933
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
258.93 грн
5+
232.64 грн
6+
192.81 грн
14+
182.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
100А
Время включения
65нс
Время выключения
172нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
87Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
49нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g